Танталовый лист 0,1х110х100 мм ТВЧ в Смоленске

Для оборудования, работающего с фосфорной кислотой высокой концентрации (85%), лучше всего подходит танталовый лист марки ТВЧ. Его высокая чистота и присущая танталу пассивность обеспечивают превосходную коррозионную стойкость в горячей концентрированной фосфорной кислоте.

В космической отрасли танталовый лист имеет перспективы использования для создания компонентов ракетных двигателей, тепловых экранов, элементов обшивки космических аппаратов и систем жизнеобеспечения. Его высокая температура плавления, коррозионная стойкость и прочность при высоких температурах незаменимы для работы в условиях космоса.

Танталовый лист марки ТВЧ неприменим в средах, содержащих фтористоводородную кислоту или фторид-ионы, а также в горячих концентрированных растворах щелочей из-за высокой скорости растворения. В этих условиях защитная пассивная пленка на тантале разрушается, и материал быстро корродирует.

Танталовый лист может быть интегрирован в системы защиты от электромагнитного излучения благодаря своим свойствам поглощения. Его плотность и атомный номер делают его эффективным материалом для экранирования электромагнитных полей и рентгеновского излучения в электронных устройствах и медицинском оборудовании.

Танталовый лист марки ТВ-10, легированный вольфрамом, обычно демонстрирует несколько лучшую устойчивость к водородному охрупчиванию по сравнению с чистым танталом (ТВЧ) в высокотемпературных газовых средах. Легирующие элементы могут снижать диффузию водорода в кристаллическую решетку. Тем не менее, полное исключение охрупчивания невозможно.

Оба типа танталового листа, ТВЧ и ТаВ, подвержены коррозии в расплавленных щелочах, особенно при высоких температурах. Тантал вступает в реакцию с щелочами, образуя танталаты. Различия в устойчивости между ТВЧ и ТаВ будут незначительными и зависят от конкретного состава и температуры щелочи.

Для использования в качестве фольги для конденсаторов подходит танталовый лист марки ТВЧ толщиной 0.1 мм и тоньше. Его высокая чистота тантала обеспечивает низкие токи утечки и стабильные диэлектрические свойства после формирования анодного оксидного слоя, что критично для электронных компонентов.